Re: gate oxide e dielettrici high-k in modo semplice

From: Franco <inewd_at_hotmail.com>
Date: Tue, 21 Apr 2009 20:03:34 -0700

bosone wrote:
> per spiegare in modo molto semplice ed elementare perch� servono
> dielettrici ad alta-k nella tecnologia del silicio, secondo voi �
> corretto un discorso di questo tipo?

...

Direi di ni :). Sembra che per te sia importante mantenere costante la
capacita` di gate. In realta`, se la si potesse diminuire sarebbero
tutti contenti, minore consumo, maggiore velocita`...

I limiti di scalamento sono due: si deve mantenere il campo elettrico
nel silicio al di sotto di un valore massimo, altrimenti il dispositivo
va in valanga, e poi bisogna che il dispositivo funzioni!

La prima limitazione fa si` che con lo scalamento, le tensioni di lavoro
debbano essere sempre piu` piccole. Il secondo deve cercare di far
funzionare i mos con tensioni di soglia sempre piu` basse. Questo vuol
dire che si deve poter invertire la popolazione dei portatori per
formare il canale usando tensioni sempre piu` basse e isolanti non
troppo sottili.

Questo richiede di avere dei dielettrici con epsilon piu` elevata e
quindi con capacita` di gate elevata.

Se cerchi in giro mos scaling, trovi parecchio materiale, ad esempio qui
(ma e` solo uno dei tanti):
http://developer.intel.com/technology/itj/q31998/pdf/trans.pdf

-- 
Franco
Wovon man nicht sprechen kann, dar�ber mu� man schweigen.
(L. Wittgenstein)
Received on Wed Apr 22 2009 - 05:03:34 CEST

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