Ciao a tutti,
sto facendo un po' di esercizi...
Ne ho uno che parla di resistenze integrate. N� sullo script n� nel libro
ho per� trovato qualcosa.
Potreste darmi un concetto da cercare, un link o una formula?
Qui sotto trascrivo l'esercizio per darvi un'idea di cosa mi serve.
Saluti Boiler
Testo originale:
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Dovete sviluppare una resistenza integrata per utilizzo ad alta
temperatura su substrato di silicio. La resistenza deve diventare
intrinseca solo motlo al di sopra di 500 K, quindi a 500 K la densit� di
elettroni intrinseca non dece superare il 10% della concentrazione totale.
La lunghezza � determinata dalla tecnica di processo: 1.3 um.
n_i (300 K) = 10^10 cm^-3
Domande:
a) quanto bisogna dotare
b) trovare la posizione del livello di Fermi rispetto alla met� del
band-gap a 300 K e a 500 K.
c) la resistenza a 500 K deve essere 100 k ohm. Trovare la sezione.
Mobilit� dei portatori di carica:
mu_n = 570 cm^2/Vs
mu_p = 170 cm^2/Vs
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Received on Tue Jun 27 2006 - 20:54:30 CEST