Tetis ha scritto:
> ...
> Piacerebbe anche a me sapere chi ha inventato questa convenzione e
> perche'.
Non lo so, ma sospetto che sia una questione pratica: se il gap supera
3 eV sara' ben difficile non solo avere una conduzione intrinseca
apprezzabile (il che tutto sommato importerebbe poco, anzi) ma
soprattutto avrai un materiale difficile da lavorare.
E' un fatto che per es. il mio vecchio Kittel da' una tabella di gap
di semiconduttori, e nessuno supera i 3 eV, mentre un paio ci vanno
vicino: AgI 2.8, ZnSe 2.6.
Non so pero' se abbiano trovato impiego pratico.
Mi ero anche posto un problema: in fondo i semiconduttori si usano
drogati, e quindi il gap non avrebbe molta importanza: per es. perche'
non si potrebbe drogare il diamante? (gap 6 eV...)
La mia risposta e' che sarebbe piuttosto difficile produrre diamante
drogato in modo controllato: a che temperature e pressioni
bisognerebbe lavorare?
Domanda collaterale: mi pare che a pressione ambiente il diamante non
fonda, ma passi direttamente a vapore se lo si scalda in atmosfera
inerte. Qual e' la pressione del punto triplo?
--
Elio Fabri
Received on Fri Mar 03 2006 - 20:48:17 CET