Re: Isolatori, semiconduttori e bandgap

From: Franco <franco_at_nospam.it>
Date: Thu, 02 Mar 2006 15:49:24 +0100

Boiler wrote:

>>No perch� la probabilit� di ocupazione dei livelli energetici dipende
>>dalla T (in gradi Kelvin) esponenzialmente secondo la distribuzione di
>>Fermi-Dirac: f(E)= 1/[1 + exp((E-Ef)/KT)] con Ef:livello di Fermi e
>>K:costante di Boltzmann. Per maggiori dettagli vedi (pag. 18):
>
> Questo lo so, ma non vedo al relazione con la mia domanda...
> Se T aumenta, il passaggio da 1 a 0 diventa meno netto e quindi si ha una
> probabilit� diversa da zero di avere degli stati occupati al di sopra
> dell'energia di fermi. Dato che sopra l'energia di fermi c'� un pezzetto
> di zona proibita e poi la banda di conduzione, se ci sono elettroni sopra
> Ef, allora c'� conduzione.

Infatti; ma la cosa che ci interessa � che il delta di E (in questo caso
  Ec - Ef) entra nell'equazione in forma esponenziale; cio� abbiamo che
a parit� di T (per es T=300, cio� temperatura ambiente) i livelli
energetici bassi della BC sono enormemente pi� pieni se EG � di 1-2 eV
invece che 5-6.

>>Perch� � un punto in cui, per T usuali, la f(E) comincia ad assumere
>>valori significativamente bassi
>
>
> Scusa, non � per far polemica, ma "usuali" e "significativamente" in
> fisica non vogliono dire nulla.

Per farti capire che PRATICAMENTE non � cos�, considera la
caratteristica ideale della giunzione PN (diodo) i=Is[e^(v/VT) -1]. Se
la disegni in modo teorico non � altro che una curva esponenziale che
passa per 0 e tende a -Is per v che tende a -inf; se la vedi in un
grafico a rappresentazione REALE vedrai che il valore di i �
indistinguibile da 0 fino ad un valore di v=Vg intorno a 0,6 V. Eppure
anche qui "Vg non rappresenta niente fisicamente" :-)
Received on Thu Mar 02 2006 - 15:49:24 CET