Non ricordo molto bene tutto il discorso, ma qualcosa te la posso dire.
Il 18 Nov 2003, 10:41, "Francesco" <roxf_at_libero.it> ha scritto:
> Quando si unisce una giunzione P ad una N
Io parlerei di zona di silicio a drogaggio P ed N, le due in s� non sono
giunzioni. Giunzione � appunto l'accostamento delle due.
> abbiamo un passaggio di elettroni,
> cariche maggioritarie, dalla zona N alla zona P, ed un movimento in senso
> contrario di lacune, Questo porta ad avere nella zona di giunzione, da una
> parte un certo numero di ioni positivi, e dall'altra un certo numero di
ioni
> negativi, che creano una differenza di potenziale.
Credo che sia qui l'inghippo. Non mi pare che dalla semplice unione nasca
una ddp. Altrimenti i diodi non sarebbero dei componenti passivi.
La barriera di potenziale di 0.6-0.7 volt si forma quando attraverso la
giunzione ci passa della corrente fornita dall'esterno, e solo se scorre in
un certo verso per giunta.
> Ed arrivo al problema.
> Perch� gli elettroni non si accumlano nella zona di giunzine, dato che
sono
> attratti dagli ioni positivi?
Per il motivo che ti ho detto, IMHO.
> Grazie
Ciao.
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Received on Wed Nov 19 2003 - 16:33:58 CET