Re: "Tre atomi di rutenio"

From: andrea francinelli <andrea.francinelli_at_ieee.org>
Date: Mon, 15 Sep 2003 12:04:49 +0200

> Ho letto su PC professionale l'articolo di questo mese sui dischi fissi.
> L'articolista, nel descrivere le nuove tecnologie per migliorare la
densit�
> bit memorizzati per pollice quadrato, afferma che sopra uno strato di una
> lega magnetica viene applicato uno strato di "tre atomi di rutenio" e
> successivamente altri strati. 3 atomi di rutenio! Mi chiedo come facciano
a
> contarli, come possano essere sicuri che sono tre e non 5,4,2 o 23,11,7.
Poi
> il tre immagino sia lo spessore.....

Per avere una idea di come siano cambiati i metodi di lettura
dei dischi fissi negli ultimi dieci anni ti consiglio una ricerca
con google immettendo "spin valve" o "giant magnetoresistance".

Da quello che so il Rutenio in questione viene usato proprio
negli "spin valve" per creare uno strato che permette un
accoppiamento antiferromagnetico tra due strati ferromagnetici.

Non credo che in questo caso venga depositato atomo per
atomo sebbene tali metodi di depisizione sono possibili
(ad esempio CVD assistita da STM, oppure MBE) e questo
perche' il processo e' industriale.

Comunque metodi di accrescimento che permettono di crescere
singoli strati atomici esistono per certi materiali e si basano
su un mix di vari parametri di controllo (pressione, temperatura,
tempo, oltre che la perfezione e la perfetta compatibilita' del
reticolo di partenza), tanto e' vero che i cristallografi parlano spesso
di monolayer (monostrati) come unita' di misura di una deposizione.
Ad esempio un metodo di accrescimento simile mi pare sia lo
Stransky-Krastanov.

Per il Rutenio non so, ma probabilmente e' possibile.
Se cerchi nei metodi di fabbricazione delle "spin valve"
dovresti trovare qualche indicazione in piu'. Se nel frattempo
mi capita qualcosa sotto te lo posto.

Buona ricerca (almeno puoi cominciare da qui)

&
Received on Mon Sep 15 2003 - 12:04:49 CEST