Tecnologia del silicio (Vapour Phase Epitaxy)

From: Dottor Jekyll <aquila5_at_tiscali.it>
Date: Wed, 24 Jul 2002 11:59:29 +0200

Nella tecnologia del Silicio c'� una tecnica che si chiama VPE (Vapour Phase
Epitaxy) e ad un certo punto � importante considerare la seguente reazione
chimica :

SiCl4 (gas) + 2H2 (gas) <---> Si (solido) + 4HCl (gas)

E' importante vedere quanto silicio (Si) si depone, perch� si vuole
realizzare un substrato per realizzare i componenti elettronici, al variare
della concentrazione del tetracloruro di silicio (SiCl4). Allora se si
dispone di un certo reattore, in "ingresso" si ha tetracloruro di silicio
(SiCl4) ed idrogeno (H2), ed in "uscita" si ha silicio (Si) e acido
cloridrico (HCl) che per� non interessa e viene espulso dal reattore.

Si vuole ricavare la concentrazione del silicio in "uscita" ed
io avrei pensato di applicare la legge dell'azione di massa, per�
non so neanche se l'ho applicata bene :

per l'ingresso pongo :
x = [SiCl4] = concentrazione del tetracloruro di silicio,
da cui segue che la concentrazione dell'idrogeno � [H] = 1 - x

per l'uscita pongo :
y = [Si] = concentrazione del silicio,
da cui la concentrazione dell'acido cloridrico � [HCl] = 1 - y

Ora applico la legge dell'azione di massa :

([SiCl4] [H2]^2)/([Si] [HCl]^4]) = k = costante

formalmente questa espressione diventa quindi f(x) = x(1 - x)^2 = y(1 -
y)^4.
Non c'� proprio nessun problema a fare lo studio di f(x), poi da questo come
deduco y(x) ? Questo per me sarebbe molto importante perch� potrei ricavarmi
la concentrazione y del silicio in "uscita" in funzione della concentrazione
del tetracloruro di silicio x in "ingresso". Al limite andrebbe anche bene
potermi determinare i massimi e i minimi di y(x).

Se invece avessi proprio sbagliato ad applicare la legge dell'azione di
massa come faccio a determinare la concentrazione del silicio ?
Scusate se il quesito � banale ma ci sono dei giorni in cui mi si
confondono le idee.

Grazie, ciao a tutti
Received on Wed Jul 24 2002 - 11:59:29 CEST