Tecnologia del silicio (piccole domande)

From: Dottor Jekyll <aquila5_at_tiscali.it>
Date: Tue, 23 Jul 2002 21:26:28 +0200

1) Cosa si intende esattamente per *planarit�* di una fetta (di silicio per
esempio) ?

Credo che ci� non debba confondersi con la *rastremazione* = variazione
dello spessore della fetta da una estremit� all'altra.

Nella tecnologia del silicio si usa una tecnica per la deposizione di film
sottili (epitassia), un procedimento epitassiale e per esempio la CVD
(Chemical Vapor Deposition). Le fette vengono messe in un reattore
riscaldate e poi vengono investite da certi gas ecc. per ottenere certe cose
ecc. In uno di tali procedimenti si produce HCl che viene espulso dal
reattore con un gas "carrier"

2) Che roba � il gas *carrier*

Le fette sono riscaldate nel reattore mediante "riscaldamento induttivo" e
cos� facendo le pareti del reattore rimangono fredde

3) Che � il *riscaldamento induttivo* ?
4) Come � possibile che le pareti del reattore rimangono fredde ?

Le fette sono mantenute nel reattore con un "suscettore"

5) Che � un *suscettore* ? Non l'ho trovato neanche sul vocabolario

Grazie, ciao :-)
Received on Tue Jul 23 2002 - 21:26:28 CEST