Ciao a tutti.
Studio chimica ma mi rivolgo a voi perch� mi tocca preparare un esame
pesantissimo sulla fisica dello stato solido (perch� mi facciano
studiare 'sta roba non lo so neanch'io). Per quanto riguarda i
semiconduttori intrinseci ed estrinseci, cos'� che mi dice in sostanza
la legge dell'azione di massa per i portatori di carica? significa che
il prodotto
n*p = cost.*exp(-E(gap)/kT)
� costante a T costante, cio� dovrebbe avere andamento iperbolico.
Questo non mi � del tutto chiaro.
E poi, perch� i livelli dovuti alle impurezze donatrici o accettrici
vanno a posizionarsi proprio sotto alle bande di energia di conduzione
e valenza rispettivamente? Ho capito che le impurezze si possono
trattare alla stregua di atomi idrogenoidi (tenendo conto della
costante dielettrica relativa e della massa effettiva del portatore di
c.) e che quindi l'energia del primo stato legato, l'unica importante,
� molto piccola rispetto all'energy gap, ma perch� va a posizionarsi
sopra la b. di valenza (per gli accettori) e non invece subito sotto
quella di conduzione? A cosa va ad aggiungersi l'energia di tali
livelli e perch�?
Grazie mille.
Received on Fri Feb 09 2007 - 15:42:37 CET
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