Re: Isolatori, semiconduttori e bandgap

From: Tetis <gianmarco100_at_inwind.it>
Date: Thu, 02 Mar 2006 14:43:06 GMT

                    Il 01 Mar 2006, 23:32, invalid_at_gggmail.com (Boiler) ha scritto:
> Franco ha scritto:
>
> > No perch� la probabilit� di ocupazione dei livelli energetici dipende
> > dalla T (in gradi Kelvin) esponenzialmente secondo la distribuzione di
> > Fermi-Dirac: f(E)= 1/[1 + exp((E-Ef)/KT)] con Ef:livello di Fermi e
> > K:costante di Boltzmann. Per maggiori dettagli vedi (pag. 18):
>
> Questo lo so, ma non vedo al relazione con la mia domanda...
> Se T aumenta, il passaggio da 1 a 0 diventa meno netto e quindi si ha una
> probabilit� diversa da zero di avere degli stati occupati al di sopra
> dell'energia di fermi. Dato che sopra l'energia di fermi c'� un pezzetto
> di zona proibita e poi la banda di conduzione, se ci sono elettroni sopra
> Ef, allora c'� conduzione.
>
> > Perch� � un punto in cui, per T usuali, la f(E) comincia ad assumere
> > valori significativamente bassi
>
> Scusa, non � per far polemica, ma "usuali" e "significativamente" in
> fisica non vogliono dire nulla.
>
> Boiler


In linea generale hai perfettamente ragione, ma e' anche vero che non
si conoscono materiali che possono essere scaldati troppi ordini
di grandezza sopra la temperatura ambiente. Questa considerazione
fissa quanto meno l'ordine di grandezza superiore del kT a, diciamo
T = 5000 K abbiamo una energia di attenuazione di circa mezzo
elettronvolt. Fissando 3 eV si ha la garanzia che la frazione di elettroni
promossi non supera l'inverso di e^6 = 85.8 che e' circa l'uno per cento
degli elettroni in banda di valenza. Da qui a sapere perche' si scelga
proprio
3 eV ne corre. Piacerebbe anche a me sapere chi ha inventato questa
convenzione e perche'.

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Inviato via http://arianna.libero.it/usenet/
Received on Thu Mar 02 2006 - 15:43:06 CET

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