Il 28/12/2011 07:21, XCOPY ha scritto:
allora premetto che sono molto arrugginito di elettronica e di
ricordare poco riguardo i fet (con cui a suo tempo feci poche esperienze)
> Bene, non riesco a trovare in rete informazioni sulle analoghe condizioni
> per i transistor a giunzione bipolare (BJT)
> (qui non vengono dette esplicitamente
> http://it.wikipedia.org/wiki/Transistor_a_giunzione_bipolare)
> Da qui
> http://www.giurob.it/sito/elettronica/digitale/transistor/tr_onoff.htm
> si capisce che
> -regione di interdizione
> V_BE< V_soglia
> dove V_BE � la tensione tra base ed emettitore.
> Ma poi?
>
> Per analogia avevo pensato
> -regione lineare
il transistor lo devi considerare come un amplificatore di corrente:
la corrente che scorre tra collettore e emettitore (assumendo che si
parli di NPN e la convenzione - contraria alla realt� fisica - che la
corrente scorra dal potenziale positivo al negativo) � � volte quella
che scorre tra base e emettitore
se consideri il transistor come un interruttore, per esempio una porta
logica NOT, devi limitare comunque la corrente Ibe
per i transistor di piccola e media potenza, la tensione tipica di
saturazione Vbe � di circa 0.5-0.7 V mentre la tensione Vce pu�
arrivare anche a solo 0.1-0.3 volt (dipende anche dalla corrente che
scorre) cio� quando mandi un transistor bipolare in saturazione la
tensione Vce � solitamente minore di Vbe
> V_BE> V_soglia
> V_CE< (V_BE - V_soglia)
> dove V_CE � la tensione tra collettore ed emettitore
> -regione di saturazione
> V_BE> V_soglia
> V_CE> (V_BE - V_soglia)
> Ma sto letteralmente inventando, anche se mi sembra ragionevole.
> E' corretto?
non capisco cosa voglia dire, ma se per esempio scarichi il datasheet
di uno dei transistor pi� comuni ai miei tempi, il BC109:
<
http://www.datasheetcatalog.org/datasheet/siemens/BC109B.pdf>
i grafici delle curve caratteristiche potrebbero dissipare i tuoi dubbi
--
bye
!(!1|1)
Received on Wed Dec 28 2011 - 16:59:49 CET