Re: Domande Nmos/Pmos

From: andreafr68 <andreafr68_at_despammed.com>
Date: Tue, 18 Nov 2003 14:07:32 +0100

> 1)Per le porte Nmos � necessario che il DRAIN sia sempre a potenziale
> maggiore che il SOURCE?
> 2)Per le porte Pmos � necessario che il SOURCE sia sempre a potenziale
> maggiore che il DRAIN?


E' solo una questione di definizione: il source e' il terminale
e potenziale minore per gli NMOS e a potenziale maggiore per
i PMOS. Vedi anche gli altri post.

I nei MOS discreti (di potenza) non si puo' scambiare source
con drain perche' ci sono altri elementi dentro (diodi di ricircolo,
protezione al gate e altre amenita'). In quelli integrati ti ho spiegato
come stanno le cose nei post sopra.


> 3)In caso non fosse NECESSARIO xch� nel'invertitore Cmos si ha invece tale
> configurazione?


A me risulta che nell'invertitore CMOS source e drain sono perfettamente
collegati secondo la convenzione sopra.... Guarda il disegno (font
proporzionali al solito).

              ------------ VDD
                     |
                     |
                ||<-- S
             ---||
            | ||--- D
      VIN __| |_______ VOUT
            | |
            | ||--- D
             ---||
                ||--> S
                     |
                     |
               ------------ VSS



> Se per esempio invece della configurazione (invertitore Cmos)
>
> V(+)
>
> |
>
> S
> (Pmos)
>
> D
>
> |
>
> D
>
> (Nmos)
>
> S
>
> |
>
> massa
>
>
>
> se si invertisse uno od entrambe i transistor cosa si otterrebbe?


Dipende...

A priori source e drain sono definiti proprio dal potenziale
applicato perche' in teoria il mos e' un dispositivo simmetrico
(vedi la risposta di Franco). Pero' in pratica i source sono collegati
al substrato o alla well. Solo in un processo "double well" (o "twin
tub" come anche si chiama ) puoi avere i source e i drain indipendenti.

Se hai un NMOS ad esempio, che ha il source collegato al substrato P,
e per sbaglio colleghi il drain a massa, in questo caso il substrato P si
troverebbe a potenziale piu' alto rispetto al contatto N del drain.
Ti suggerisce niente questa situazione?



> 4)Per distinguere un un Nmos/Pmos a svuotamento o ad arricchimento basta
> guardare il potenziale del rispettivo gate? E quindi se ho un Nmos con
> gate positivo so che � ad arricchimento mentre se � negativo � a
svuotamento
> (per il Pmos l'inverso)?

Direi di si' (supponendo sempre il bulk connesso al source).
Altrimenti il canale e' sempre funzione della Vgate-bulk.

In realta' anche nei mos standard ad arricchimento viene
eseguito un doppio impianto per modificare la tensione
di soglia.



> I mosfet possono essere usati anche come resistenze di carico (a
> svuotamento/arricchimento)

Le vecchie logiche NMOS funzionavano cosi' a quanto mi
risulta. Il pull-up era un NMOS con funzioni di resistore.



> Nel mio libro ci sono 2 schemi che raffigurano un Nmos
>
>
>
> V(+)
>
> |
>
> D
>
> (Pmos)
>
> S
>
> |
>
>
>
> Utilizzato come resistenza di carico
>
> ad arricchimento se il gate � cortocircuitato con il DRAIN
>
> o a svuotamento se il gate � cortocircuitato con il SOURCE.
>
>
>
> 5)Se invece che V(+) avessi avuto (V-) come avrei dovuto cortocircuitare
il
> gate per ottenere una resistenza a svuotamento/arricchimento(se �
possibile
> questa configurazione)?


Temo di non capire la domanda.


> 6) Per ottenere una resistenza da un Pmos la V deve essere positiva o
> negativa?

Quale V?



> 7)In entrambi i casi(se possibili) con che cosa deve essere
cortocircuitato
> il gate per ottenere
> un carico ad arricchimento/svuotamento

Non capisco quali casi intendi. In ogni caso non
farti troppi problemi. Tutte queste configurazioni
sono facili da studiare prendendo le equazioni del
MOS per i 4 casi (comunque mos a svuotamento
non so se siano ancora usati...).
La condizione di corto circuito che di solito e' tale
che Vgs=Vds. Questo ti assicura anche la saturazione
del MOS quindi sai in quale zona lavori e quale
equazione devi usare.

&
Received on Tue Nov 18 2003 - 14:07:32 CET