1)Per le porte Nmos � necessario che il DRAIN sia sempre a potenziale
maggiore che il SOURCE?
Se si xch�?
2)Per le porte Pmos � necessario che il SOURCE sia sempre a potenziale
maggiore che il DRAIN?
Se si xch�?
3)In caso non fosse NECESSARIO xch� nel'invertitore Cmos si ha invece tale
configurazione?
Se per esempio invece della configurazione (invertitore Cmos)
V(+)
|
S
(Pmos)
D
|
D
(Nmos)
S
|
massa
se si invertisse uno od entrambe i transistor cosa si otterrebbe?
4)Per distinguere un un Nmos/Pmos a svuotamento o ad arricchimento basta
guardare il potenziale del rispettivo gate? E quindi se ho un Nmos con
gate positivo so che � ad arricchimento mentre se � negativo � a svuotamento
(per il Pmos l'inverso)?
I mosfet possono essere usati anche come resistenze di carico (a
svuotamento/arricchimento)
Nel mio libro ci sono 2 schemi che raffigurano un Nmos
V(+)
|
D
(Pmos)
S
|
Utilizzato come resistenza di carico
ad arricchimento se il gate � cortocircuitato con il DRAIN
o a svuotamento se il gate � cortocircuitato con il SOURCE.
5)Se invece che V(+) avessi avuto (V-) come avrei dovuto cortocircuitare il
gate per ottenere una resistenza a svuotamento/arricchimento(se � possibile
questa configurazione)?
6) Per ottenere una resistenza da un Pmos la V deve essere positiva o
negativa?
7)In entrambi i casi(se possibili) con che cosa deve essere cortocircuitato
il gate per ottenere
un carico ad arricchimento/svuotamento?
Grazie di cuore.
Received on Sat Nov 15 2003 - 01:14:12 CET
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