Loppo wrote:
> E' saltato fuori parlando di fisica dei semiconduttori.
> Non ho idea di cosa sia e non l'ho trovato neanche sul Muller-Kamins.
Mi pare che sullo Sze ci sia. Dovrebbe essere qualcosa del genere. Nel
GaAs, in una delle direzioni cristallografiche, il diagramma di
dispersione degli elettroni ha due minimi, uno per k=0 (semiconduttore
diretto) e un altro per k diverso da zero. Questo secondo minimo e` ad
energia un po' maggiore rispetto al primo (mi pare di ricordare qualche
centinario di meV, ma non ci credere). La cosa importante e` che il
minimo piu` alto ha una curvatura (d^2E/dk^2) molto piu` bassa rispetto
a quello a k=0.
Allora quando hai elettroni che vanno in banda di valenza, riempiono
prima la zona a k=0, e gli elettroni hanno una data massa equivalente,
inversamente proporzionale alla derivata seconda di E rispetto a k due
volte. Quando aumenti l'energia, gli elettroni cominciano a passare nel
secondo minimo (con la mediazione di fononi), e li` si ritrovano con una
massa equivalente maggiore. Il che vuol dire che tu fornisci piu`
energia e gli elettroni rallentano: questo e` il comportamento di una
resistenza negativa che puo` essere usato per fare un oscillatore.
In realta` la cosa e` un po' piu` incasinata. Nel GaAs si formano dei
"mucchi" di elettroni che si spostano e rendono la corrente a "sbuffi",
e quindi ad alta frequenza. Il periodo fra questi impulsi di corrente
dipende dal tempo di transito degli elettroni nel semiconduttore.
Ciao
--
Franco
Wovon man nicht sprechen kann, dar�ber mu� man schweigen.
(L. Wittgenstein)
Received on Sun Apr 13 2003 - 18:55:06 CEST