> Forse volevi dire maggioritari, se ho ben capito.
> Da quello che mi risulta gli effetti di alti livelli di
> iniezione vanno a farsi sentire su questi.
>
> Andrea.
Intendevo dire che in un BJT con struttura di tipo pnp le lacune iniettate
nella base sono portatori minoritari rispetto alla base stessa, e
maggioritari altrove.
Il meccanismo a cui mi riferivo per spiegare il fenomeno � l'effetto Kirk,
infatti in alto livello di iniezione (sempre per un pnp) le lacune vengono
iniettate dall'emettitore alla base. Per la quasi_neutralit� della base
vengono richiamati degli elettroni che determinano un aumento del suo
drogaggio equivalente e conseguente perdita di efficienza di emettitore.
Inoltre questo fatto determina il restringimento della zona di carica
spaziale (il contrario dell'effetto Early), di conseguenza aumenta la Ib,
diminuisce la Ic perci� diminuisce beta_0.
In alto livello di iniezione esistono altri effetti responsabili della
diminuizione di beta_0, tra i quali l'intensificazione sui bordi della
corrente di emettitore che produce una densit� di corrente non uniforme che
localmente � riconducibile ad alto livello di iniezione (vedi Sze -
Semiconductor devices: physics and technology).
Cordialmente, Andrea.
Received on Thu Aug 29 2002 - 12:05:33 CEST
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