Buongiorno, Dottor Jekyll ha scritto:
> Nella tecnologia del Silicio c'� una tecnica che si chiama VPE (Vapour Phase
> Epitaxy) e ad un certo punto � importante considerare la seguente reazione
> chimica :
> SiCl4 (gas) + 2H2 (gas) <---> Si (solido) + 4HCl (gas)
> E' importante vedere quanto silicio (Si) si depone, perch� si vuole
> realizzare un substrato per realizzare i componenti elettronici, al variare
> della concentrazione del tetracloruro di silicio (SiCl4). Allora se si
> dispone di un certo reattore, in "ingresso" si ha tetracloruro di silicio
> (SiCl4) ed idrogeno (H2), ed in "uscita" si ha silicio (Si) e acido
> cloridrico (HCl) che per� non interessa e viene espulso dal reattore.
> Si vuole ricavare la concentrazione del silicio in "uscita" ed
> io avrei pensato di applicare la legge dell'azione di massa, per�
> non so neanche se l'ho applicata bene :
[cut]
Dato che il silicio e' solido la sua concentrazione e' sostanzialmente
costante, e in effetti non compare nella legge di azione di massa,
che, a patto che sia presente almeno una piccola quantita' di Si (s),
sara' espressa dall'equazione valida all'equilibrio:
[HCl]^4 / ([H2]^2 * [SiCl4]) = k = costante.
La quantita' di interesse non e' la concentrazione del silicio ma il
suo tasso di crescita (spessore depositato nell'unita' di tempo),
v. ad es. Sze, Semiconductor Devices, Physics and Technology,
su cui troverai risposta anche a qualche domanda che hai posto
nell'altro messaggio.
Ciao
--
Giorgio Bibbiani
Received on Wed Jul 24 2002 - 19:08:03 CEST