Totem[VtS] <lubonazz_at_tin.it> wrote in message 8rfiig$7nr$1_at_news.cineca.it...
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> Che effetto hanno le imperfezioni sulla superficie di wafer di silicio
> (surface roughness) sulla velocita' di ricombinazione superficiale ?
>
Ciao, sono uno studente di Ing. elettronica, prover� a soddisfare la tua
curiosit� senza sapere a priori la risposta, insomma vedila come una specie
di opinione personale.
Le imperfezioni reticolari sulla superficie di un wafer di silicio sono in
genere il risultato del processo che ha portato alla sua "raffinazione"
ovvero sono legati a tutte le irregolarit� reticolari dei processi di
crescita epitassiale e taglio utilizzati per ottenere il wafer pronto per
impiantare i dispositivi elettronici. Il risultato � che in genere la
superficie � perlomeno ruvida da qui appunto il termine surface roughness.
Se poi per superficie intendi il piano di separazione tra due differenti
"fasi" dello stesso wafer allora devi tener conto anche del cambiamento
nell'orientamento del cristallo attraverso il piano di separazione oppure
della transizione fra cristalli con differenti orientamenti
cristallografici.
Da ora in poi considerer� il caso di superficie ruvida.
Gli atomi superficiali in genere hanno i legami incompleti, sono quindi
degli stati energetici localizzati e in genere dei centri di
generazione-ricombinazione. Si definisce la velocit� di ricombinazione
superficiale per unit� di area come direttamente proporzionale a:
- velocit� termica;
- sezione di cattura dei portatori di carica;
- densit� dei centri di ricombinazione per unit� di area;
- concentrazione di portatori di carica alla superficie.
Ora la superficie "rugosa" ha un'area efficace maggiore di una superficie
liscia, quindi un numero maggiore di centri di ricombinazione e di portatori
di carica.
La velocit� di ricombinazione superficiale per unit� di area quindi rimane
costante perch� non variano la densit� dei centri di ricombinazione e la
concentrazione dei portatori di carica.
La velocit� di ricombinazione superficiale (che tiene conto della scabrosit�
superficiale) invece aumenta, perch� deriva dal prodotto della velocit� di
ricombinazione per unit� di area moltiplicata per la superficie (� un
fattore >1). Questo effetto in genere � non voluto (vedi dispositivi che
lavorano in commutazione) e si fa di tutto per limitarne gli effetti
rendendo il pi� possibile liscia la superficie utile del wafer di
semiconduttore.
Cordialmente, Andrea.
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Nuova moderazione in fase di test - perdonate i disagi
Received on Sun Oct 08 2000 - 00:00:00 CEST