Re: Funzionamento del transistor BJT

From: Archaeopteryx <cor.bonukFANCULOSPAM_at_libero_NOMAIL_.it>
Date: Fri, 20 Oct 2017 13:44:58 +0200

> Prendiamo una valvola, con anodo e catodo piani e affacciati e
> distanti d, se vi applichi una d.di p. di 400 volt, gli elettroni
> del catodo che per effetto termico riescono a sfuggire dal catodo
> vengono attratti dall'anodo. Ora immagina una griglia a distanza
> elevata e tenuta a un potenziale di -4 volt rispetto al catodo, ora
> falla traslare in modo da inserirsi parallelamente tra anodo e
> catodo, spostamento e campo sono sempre ortogonsli, quindi non fai
> nessun lavoro. Nessun lavoro, ma hai creato una barriera di
> potenziale che ostacola il flusso degli elettroni, ma sempre nessun
> lavoro se fai scorrere degli elettroni per creare la barriera, per
> lo stesso motivo di prima, campo e spostamento ortogonali, anche per
> potenziali di griglia elevati tali da bloccare completamente il
> flusso di cariche. Il tutto esattamente come per una paratia che
> riesce a bloccare il flusso di acqua con pochissimo lavoro.
> Immagina un asservimento di posizione che piloti la paratia, con una
> piccola Potenza all'ingresso hai una Potenza elevata all'uscita,
> praticam4nte un amplificatore di potenza, esattanente come la
> valvola.

Il mio problema è: perché con "poche cariche" posso bloccare "tante
cariche"? Nei termini della paratia direi: perché con un "piccolo"
lavoro posso far sì che nel diaframma si accumuli un'energia potenziale
elastica (dovuta alla pressione dell'acqua) molto maggiore del lavoro
che ho compiuto per chiuderla?

Devo dire che almeno sono riuscito a formulare la domanda con più
chiarezza (forse meglio dire "meno confusione") di quanto la
intravvedessi prima, purtroppo non riesco a traslarne i termini nel
caso di valvola e transistor :/
Received on Fri Oct 20 2017 - 13:44:58 CEST