Indice di rifrazione

From: <asciughino_at_gmail.com>
Date: 27 May 2007 11:18:52 -0700

Salve a tutti,
vorrei avere dei chiarimenti su alcuni miei dubbi inerenti l'indice di
rifrazione, dato che il testo che ho come riferimento f� diversi
accenni, ma questi non vengono spiegati....
1)innanzitutto parla di diversi metodi utilizzati per calcolare
l'indice di rifrazione, tra questi l'eccitazione fotoluminescente ed
il modello a doppio oscillatore: del secondo non so assolutamente
nulla, mentre del primo so solo la definizione di fotoluminescenza
(ovvero emissione radiativa ottenuta da un materiale se questo viene
colpito da una radiazione). Mi potete spiegare a grandi linee in che
cosa consistono questi metodi?
2)" l'indice di rifrazione (penso che parli della sua componente reale
dato che poi descrive a parte l'assorbimento) dipende anche dalla
concentrazione di cariche libere e principalmente elettroni piuttosto
che lacune": perch� questo? Mi verrebbe da pensare a scambio di
quantit� di moto maggiore con l'elettrone (dato che la sua massa
efficace � minore) piuttosto che con le lacune (aventi massa efficace
maggiore), ma non ne sono sicuro...
3)"I semiconduttori di tipo p presentano un coefficiente di
assorbimento di un ordine di grandezza superiore rispetto ai
semiconduttori di tipo n": perch�?Non riesco proprio a spiegarmelo...
grazie per il vostro aiuto
Received on Sun May 27 2007 - 20:18:52 CEST