Calcolo stati discreti in semiconduttori dopati

From: <asciughino_at_gmail.com>
Date: 19 Jan 2007 02:26:34 -0800

Studiando il dopaggio dei semiconduttori intrinseci,mi sono imbattuto
in questa formula per il calcolo del potenziale tra l'atomo donore e
l'elettrone:
U=-(z*(e^2)/(eps*r))
dove z= eccesso di valenza (che vuol dire?sono il numero di protoni in
pi� nell'atomo di impurit� rispetto all'atomo del cristallo?)
eps=costante dielettrica del cristallo
Se non mi ricordo male l'energia dovuta ad attrazione coulombiana
possedeva una formula del tipo
U=-((z*(e^2)/(4*pi*eps*r))
ovvero c'� un fattore 4*pi che non ritrovo...dove sbaglio?
grazie
Received on Fri Jan 19 2007 - 11:26:34 CET