Re: Calcolo stati discreti in semiconduttori dopati

From: cometa luminosa <a.rasa_at_usl8.toscana.it>
Date: 19 Jan 2007 04:19:12 -0800

asciughino_at_gmail.com ha scritto:

> Studiando il dopaggio dei semiconduttori intrinseci,mi sono imbattuto
> in questa formula per il calcolo del potenziale tra l'atomo donore

forse era "d'onore"? :-)

Intendevi "donatore".

>e l'elettrone:
> U=-(z*(e^2)/(eps*r))

Come fa il potenziale elettrostatico ad essere proporzionale al
quadrato di una carica? Forse intendevi "energia" potenziale.

> dove z= eccesso di valenza (che vuol dire?sono il numero di protoni in
> pi� nell'atomo di impurit� rispetto all'atomo del cristallo?)

I protoni non c'entrano niente. Quello che conta � il numero di
elettroni di valenza, cio� nel livello pi� esterno dell'atomo,
indipendentemente dal numero totale di elettroni. L'eccesso di valenza
� quindi il numero di elettroni di valenza in pi� rispetto all'atomo
del cristallo. Es: il silicio ha 4 elettroni di valenza, l'arsenico 5,
quindi in un cristallo di silicio drogato con As z = 1, il boro ne ha
3, quindi se Si � drogato con B z = -1.

> eps=costante dielettrica del cristallo
> Se non mi ricordo male l'energia dovuta ad attrazione coulombiana
> possedeva una formula del tipo
> U=-((z*(e^2)/(4*pi*eps*r))
> ovvero c'� un fattore 4*pi che non ritrovo...dove sbaglio?

Non te lo so dire, anche secondo me manca il fattore 4pi nella prima
formula.
Received on Fri Jan 19 2007 - 13:19:12 CET