Re: Calcolo stati discreti in semiconduttori dopati
asciughino_at_gmail.com ha scritto:
> Studiando il dopaggio dei semiconduttori intrinseci,mi sono imbattuto
> in questa formula per il calcolo del potenziale tra l'atomo donore
forse era "d'onore"? :-)
Intendevi "donatore".
>e l'elettrone:
> U=-(z*(e^2)/(eps*r))
Come fa il potenziale elettrostatico ad essere proporzionale al
quadrato di una carica? Forse intendevi "energia" potenziale.
> dove z= eccesso di valenza (che vuol dire?sono il numero di protoni in
> pi� nell'atomo di impurit� rispetto all'atomo del cristallo?)
I protoni non c'entrano niente. Quello che conta � il numero di
elettroni di valenza, cio� nel livello pi� esterno dell'atomo,
indipendentemente dal numero totale di elettroni. L'eccesso di valenza
� quindi il numero di elettroni di valenza in pi� rispetto all'atomo
del cristallo. Es: il silicio ha 4 elettroni di valenza, l'arsenico 5,
quindi in un cristallo di silicio drogato con As z = 1, il boro ne ha
3, quindi se Si � drogato con B z = -1.
> eps=costante dielettrica del cristallo
> Se non mi ricordo male l'energia dovuta ad attrazione coulombiana
> possedeva una formula del tipo
> U=-((z*(e^2)/(4*pi*eps*r))
> ovvero c'� un fattore 4*pi che non ritrovo...dove sbaglio?
Non te lo so dire, anche secondo me manca il fattore 4pi nella prima
formula.
Received on Fri Jan 19 2007 - 13:19:12 CET
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