Ciao a tutti.
Per prima cosa, un grazie a tutti per le vostre gentilissime risposte.
Mi si consenta un grazie particolare a Tommaso che, ogni volta che pongo
qualche domanda, � sempre pronto ad aiutarmi.
Scusatemi se approfitto ancora di voi.
Per quanto riguarda i transistor ad effetto di campo (FET), trovo
chiaramente in rete le condizioni che delimitano le tre regioni di
funzionamento:
http://it.wikipedia.org/wiki/MOSFET
-regione di interdizione
V_GS < V_soglia
dove V_GS � la tensione tra gate e source (con il source allo stesso
potenziale della regione del canale)
-regione lineare
V_GS > V_soglia
V_DS < (V_GS - V_soglia)
dove V_DS � la tensione tra drain e source
-regione di saturazione
V_GS > V_soglia
V_DS > (V_GS - V_soglia)
Bene, non riesco a trovare in rete informazioni sulle analoghe condizioni
per i transistor a giunzione bipolare (BJT)
(qui non vengono dette esplicitamente
http://it.wikipedia.org/wiki/Transistor_a_giunzione_bipolare)
Da qui
http://www.giurob.it/sito/elettronica/digitale/transistor/tr_onoff.htm
si capisce che
-regione di interdizione
V_BE < V_soglia
dove V_BE � la tensione tra base ed emettitore.
Ma poi?
Per analogia avevo pensato
-regione lineare
V_BE > V_soglia
V_CE < (V_BE - V_soglia)
dove V_CE � la tensione tra collettore ed emettitore
-regione di saturazione
V_BE > V_soglia
V_CE > (V_BE - V_soglia)
Ma sto letteralmente inventando, anche se mi sembra ragionevole.
E' corretto?
Perdonate la mia ignoranza da autodidatta.
Saluti.
Received on Wed Dec 28 2011 - 07:21:05 CET