Ho dato una veloce occhiata in biblioteca, e ho visto che in effetti
ci sono libri che ne parlano: nel contatto metallo-semiconduttore
fortemente drogato parlano di "field-effect emission" ma si tratta di
effetto tunnel.
Ho anche visto che farne una teoria accurata e' un grande casino...
Mi cbiedevo come mai non si manifesti la condizione di conduttanza
negativa tipica dei diodi tunnel, ma probabilmente e' questione di
densita' di corrente: finche' la polarizzazione non supera 0.1 volt o
qualcosa del genere si resta in una regione in cui la corrente e'
grosso modo proporzionale alla d.d.p.
Jena#100 ha scritto:
> Se non mi sbaglio, il primo transistor (non so se era Esaki) era
> costituito da un substrato di germanio (Base, appunto), con due
> "spilloni" metallici e l' effetto transistor era dovuto alle
> interfacce metallo/semiconduttore.
E' vero, ma quelli erano i transistor "a punte" (l'equivalente dei
diodi a galena di quando ero ragazzo...) e credo abbiano avuto vita
breve.
Certamente gia' nel 1956-57 esistevano transistor commerciali a
giunzione (pnp credo) a germanio. Furono usati nella CEP.
------------------------------
Elio Fabri
Dip. di Fisica - Univ. di Pisa
------------------------------
From
Received on Wed Apr 21 2004 - 20:30:04 CEST
This archive was generated by hypermail 2.3.0
: Fri Nov 08 2024 - 05:10:25 CET