Il 18 Apr 2004, 11:47, "Jena#100" <mail.rt_at_katamail.com> ha scritto:
Salve a tutti,
(.....)
> Facendo i contatti metallici in "pozzeti" fortemente drogati, si fa in
modo
> che la barriera di potenziale vista dagli elettroni sia molto stretta e
> attraversabile per effetto tunnel.
>
> Dato che i contatti metallo/seniconduttore sono inevitabili, ho detto che
> OGNI dispositivo sfrutta l' effetto tunnel.
Molto interessante! Mi sembra perfino intuitivo :-)
Cmq, volevo approfittare per chiedere, se possibile, quanto
questi ''pozzetti'' sono piu' fortem. drogati, rispetto al resto
del semiconduttore; piu' specificamente, il mio dubbio e' il
seguente. Perche' nei normali semicond. la ''dose'' di
'drogante' non viene aumentata? Ci sono difficolta' tecniche,
oppure i vantaggi di conducibilita' (e quindi meno perdite
ohmiche) non sono cosi' rilevanti?
Altra cosa connessa.
Avevo in mente (per es.) il diamante, o la forma isomorfa di
BN (Nitruro di Boro), che e' piu' facile da ottenere: se si
riuscisse ad avere per questi un livello di ''drogaggio'' 100
(o piu') volte magg. che il livello normale (che, qui per qui,
non conosco quale sia), potremmo avere discreta conducib.
e sfruttare la loro resistenza alle alte temperature (rispetto
alla degradazione delle giunzioni).
Ultima cosa: il Band-gap per un certo semiconduttore
non dipende dal fatto che sia 'drogato' di piu' o di meno,
giusto?
Come potrete notare, le domande sono alquanto da
profano: abbiate pazienza se possibile :-)) , per cui le
eventuali smentite sono senz'altro gradite :))
Grazie dell'attenzione,
Patrizio
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Received on Tue Apr 20 2004 - 22:13:16 CEST