Domande Nmos/Pmos

From: Rodion <Rodion_at_hotmail.com>
Date: Sat, 15 Nov 2003 00:14:12 GMT

1)Per le porte Nmos � necessario che il DRAIN sia sempre a potenziale
maggiore che il SOURCE?



Se si xch�?



2)Per le porte Pmos � necessario che il SOURCE sia sempre a potenziale
maggiore che il DRAIN?



Se si xch�?



3)In caso non fosse NECESSARIO xch� nel'invertitore Cmos si ha invece tale
configurazione?

   Se per esempio invece della configurazione (invertitore Cmos)

V(+)

|

S
(Pmos)

D

|

D

(Nmos)

S

|

massa



se si invertisse uno od entrambe i transistor cosa si otterrebbe?



4)Per distinguere un un Nmos/Pmos a svuotamento o ad arricchimento basta
guardare il potenziale del rispettivo gate? E quindi se ho un Nmos con
gate positivo so che � ad arricchimento mentre se � negativo � a svuotamento
(per il Pmos l'inverso)?



I mosfet possono essere usati anche come resistenze di carico (a
svuotamento/arricchimento)

Nel mio libro ci sono 2 schemi che raffigurano un Nmos



V(+)

|

D

(Pmos)

S

|



Utilizzato come resistenza di carico

ad arricchimento se il gate � cortocircuitato con il DRAIN

o a svuotamento se il gate � cortocircuitato con il SOURCE.



5)Se invece che V(+) avessi avuto (V-) come avrei dovuto cortocircuitare il
gate per ottenere una resistenza a svuotamento/arricchimento(se � possibile
questa configurazione)?



6) Per ottenere una resistenza da un Pmos la V deve essere positiva o
negativa?



7)In entrambi i casi(se possibili) con che cosa deve essere cortocircuitato
il gate per ottenere

   un carico ad arricchimento/svuotamento?



Grazie di cuore.
Received on Sat Nov 15 2003 - 01:14:12 CET