Michele Falzone wrote:
> L'articolo � spuntato su Le Scienze, si riferisce a particolari canali
> monoatomici dove si � misurato che il trasporto avviene mediante frazioni
> di carica elementare,
Una idea dell'anno?
> Possibilissimo che Catt non abbia capito come funziona la conduzione
> elettrica nei conduttori, allora siamo sicuramente almeno in due a non
> avere capito questo argomento pur avendo insegnato da anni elettrotecnica,
> e spiegandolo sempre nella maniera classica.
Occhio a non insegnare cose troppo sbagliate :-)
> Infatti io non mi riferivo a questo, ma al fatto che le possibili piste
> sicuramente trattate come line, introducono dei ritardi, ma assolutamente
> mai possono deteriorare il componente, a meno di sbagliare i valori di
> alimentazione.
Dipende dalla lunghezza della linea e dal carico. I microprocessori sono
di solito ben protetti all'ingresso con diodi di clamp. I primi che sono
usciti avevano dei problemi in piu`. Alcuni dei vecchi microprocessori o
altri circuiti integrati andavano in latch-up solo a guardarli (e il
latch up e` determinato dalle sovratensioni su ingressi e uscite).
> In genere un componente si deteriora non tanto per la tensione applicata,
> ma per l'energia che � costretto ad assorbire, il deteriorarsi � dovuto al
> conseguente innalzamento della temperatura, ma il trasferimento di potenza
> a parit� di tensione di alimentazione � massimo solo quando RL=Z0, per
> RL>>Z0 il trasferimento di potenza � irrisorio, come vedi non pu�
> surriscaldarsi e pertanto non si pu� deteriorare.
La rottura dell'ossido di gate di un mos avviene per valanga innescata
da campo elettrico. L'energia che serve per la rottura e` enormemente
inferiore a quella disponibile dall'uscita di una porta. La
sovratensione che si verifica puo`, in qualche sfigato caso, rompere
l'ossido. Per questo non serve l'accoppiamento energetico.
> Scusa se insisto
Prego :-).
--
Franco
Wovon man nicht sprechen kann, dar�ber mu� man schweigen.
(L. Wittgenstein)
Received on Wed Oct 22 2003 - 19:54:03 CEST