Franco ha scritto:
> Michele Falzone wrote:
> > L'articolo � spuntato su Le Scienze, si riferisce a particolari canali
> > monoatomici dove si � misurato che il trasporto avviene mediante frazioni
> > di carica elementare,
> Una idea dell'anno?
Ho cercato tra i numeri che ho in citt�, ma credo che siano accatastati
in campagna, ti prometto che per il fine settimana, in campagna far� una
ricerca pi� approfondita e ti dar� tutti i riferimenti, in ogni caso deve
essere fine 2002 e inizio 2003 ricordo di averne parlato si it.scienze.
> > Possibilissimo che Catt non abbia capito come funziona la conduzione
> > elettrica nei conduttori, allora siamo sicuramente almeno in due a non
> > avere capito questo argomento pur avendo insegnato da anni elettrotecnica,
> > e spiegandolo sempre nella maniera classica.
> Occhio a non insegnare cose troppo sbagliate :-)
Mi sembra molto difficile, viste le nozioni che devo insegnare a degli
elettrotecnici di scuola superiore , e pertanto non credo che si possa
correre tale rischio.
> > Infatti io non mi riferivo a questo, ma al fatto che le possibili piste
> > sicuramente trattate come line, introducono dei ritardi, ma assolutamente
> > mai possono deteriorare il componente, a meno di sbagliare i valori di
> > alimentazione.
> Dipende dalla lunghezza della linea e dal carico. I microprocessori sono
> di solito ben protetti all'ingresso con diodi di clamp. I primi che sono
> usciti avevano dei problemi in piu`. Alcuni dei vecchi microprocessori o
> altri circuiti integrati andavano in latch-up solo a guardarli (e il
> latch up e` determinato dalle sovratensioni su ingressi e uscite).
Grazie per le informazioni, ma quelli si dovevano manipolare con molta
cura, ma in ogni caso escludo che si potevano rompere per il motivo da te
riportato, una volta montati.
> > In genere un componente si deteriora non tanto per la tensione applicata,
> > ma per l'energia che � costretto ad assorbire, il deteriorarsi � dovuto al
> > conseguente innalzamento della temperatura, ma il trasferimento di potenza
> > a parit� di tensione di alimentazione � massimo solo quando RL=Z0, per
> > RL>>Z0 il trasferimento di potenza � irrisorio, come vedi non pu�
> > surriscaldarsi e pertanto non si pu� deteriorare.
> La rottura dell'ossido di gate di un mos avviene per valanga innescata
> da campo elettrico. L'energia che serve per la rottura e` enormemente
> inferiore a quella disponibile dall'uscita di una porta. La
> sovratensione che si verifica puo`, in qualche sfigato caso, rompere
> l'ossido. Per questo non serve l'accoppiamento energetico.
Perfetto ma in ogni caso ha una sua ben precisa tensione di ingresso e
cosa ben pi� importante una sua tolleranza, che tu mi insegni nei
componenti elettronici spesso le due cifre non bastano, e un raddoppio,
caso peggiore di onda riflessa, della tensione di ingresso sicuramente non
innesca la rottura dell'ossido, avendo avuto cura di trattare questi
componenti con le dovute cautele durante la fase del montaggio.
Certamente un componente si pu� rompere per infiniti motivi, ma
sicuramente mai per un cattivo adattamento della linea sull'ingresso, al
pi� non funziona in quel particolare circuito.
Ti prego non insistere, anche perch� il mio intervento mirava
principalmente a fare notare che si stava facendo non poca confusione tra
velocit� di propagazione di un'onda e tempo di salita ad una risposta al
gradino, cosa completamente diversa, ed in questo conteso i
microprocessori erano inopportuni.
Ciao Michele
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Received on Wed Oct 22 2003 - 23:19:46 CEST