tensione di breakdown...

From: drdlk <drdlk_at_technologist.it>
Date: Tue, 11 Jun 2002 09:50:05 GMT

Ciao,
Qualcuno mi potrebbe spiegare il contributo del tunneling nella corrente
che attraversa un diodo polarizzato inversamente... Mentre mi e' chiaro
il meccanismo "valanga", non capisco come vi possa essere una corrente
inversa dovuta al tunneling. Infatti in una giunzione polarizzata
inveramente la barriera di potenziale aumente:

x=sqr((2e/q)*(Vbi+Vinv)*(1/Na+1/Nd))

dove Vbi e' la ddp di Built-In e Vinv la ddp inversa applicata alla
giunzione.

Bene mi pare chiaro che all'aumentare della ddp Vinv aumenta anche la
barriera di potenziale, quindi all'aumentare di Vinv diminuisce la
densita' di probabilit� di trovare l'elettrone oltre la barriera di
potenziale... Quindi aumentando Vinv dovrebbe diminuire la corrente
dovuta a tunneling e non aumentare... Di cosa non sto tenendo conto a
livello macroscopico?

Ciao

Daniele
Received on Tue Jun 11 2002 - 11:50:05 CEST